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「EDODRAM快速分頁模式是什意思?」↓↓↓EDORAM–SDRAM之前一代流行的記憶體規格,其採72針腳,使用5伏特電壓。EDO是ExtendedDataOutput的縮寫。以快速分頁模式(Fast-PageMode)為基礎。讓記憶體存取動作時同時充電,能夠使記憶體在開始傳送第一個區塊的資料同時,取出(fetch)下一個區塊的資料,如此令存取時間縮短,加快連續性資料的存取速度。但自SDRAM出現後,EDORAM漸被淘汰。EDODRAM也就是如下的縮寫!EDODRAM-ExtendedDataOutDRAM,EDODRAM。它有什麼特別?傳統的DRAM每寫入一個bit的資料,就必須送出「列」以及「行」位址各一次,用來定出這一個bit的所在位置,並且每一個位址都必須有一段穩定的時間,然後才能讀取或寫入有效的資料,在這一段穩定的時間之前所寫入或讀取的資料都是無效的。FPMDRAM的作法是,在送出一個列位址之後,只要是要存取同一列位址的資料,就持續送出不同的行位址,如此,可以省去重覆送列位址的時間;而EDO的作法,是縮短等待送出位址的時間;也就是說,不必等到資料完整的讀去或寫入,只要一到有效的時間,就可以準備送出下一個位址,不必等到有效的時間完畢。舉例來說,假設指定一個完整的位址完成之後,需要等待一秒鐘之後資料匯流排上頭才是有效的資料;然後可以讀取或寫入五秒鐘;之後,再繼續下一個位址的動作。想想看,如果在一開始的等待一秒鐘過後,開始讀取或寫入有效的資料時,就開始送出另一個位址,等到下一個有效位址成立之後(因為也需要等待一段穩定的時間),這個時候資料也已經讀寫完成了,馬上就可以進行下一個位址的讀寫動作,省卻了一點等待的時間,這就是EDODRAM強調的地方。理論上,EDODRAM會比傳統的DRAM快。但是實際上,因為電腦內已經有了Cache,所以EDODRAM並沒有很明顯的效率增益;雖然理論上會有約2%的效益增加比,但是除非系統沒有CacheMemory,才會很明顯的感受出效率變快了,所以EDODRAM在從前的運用上多偏向於介面卡(例如VGA卡)。近來由於EDODRAM的產能增加,生產與銷售的成本大幅的調降,EDODRAM已成功地代傳統的DRAM,成為製作記憶體模組的主要材料。要注意的是,要用EDODRAM的優點是有條件的。如果主機板的晶片不支援EDODRAM的存取特性,則EDODRAM將會被視為一般的記憶體,甚至不能開機。現在FPM以及EDO記憶體已經成為系統內的主流派了,另外如果讀者見到"HyperPageModeDRAM"的話,就是EDODRAM另外一個稱呼。:http://www.wells.hk/ws_toolsdetail.php?tools_id=1103101122http://home.kimo.com.tw/infonet.tw/other/rem.htm







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