大菠蘿的家

快閃記憶體(FlashｍMemory)Flashmemory或是Flash　ROM快閃記憶體,是目前最新的一種ROM型式(不過其內部材料已和最早的ＲＯＭ大相不同)是在１９８０年代由英特爾公司推出,主要用以替代ＥＥＰＲＯＭ,做為系統程式儲存及記錄(CodeStorage),且注重在指令的快速讀取及對系統的開機管理,快閃記憶體並不需要不斷充電來維持其中的資料,但是每當資料更新時必須以blocks為單位加以覆蓋,而非一個byte或一個byte來寫入,Block的大小從２５６ｋｂ到２０ＭＢ不等。　　快閃記憶體由ＥＥＰＲＯＭ演化而來,但是價格較便宜且位元密度較高,所以會成為ＥＷＥＰＲＯＭ的替代品。目前快閃記憶體多用於ＰＣ　Ｃａｒｄ記憶卡,主機板和Ｓｍａｒｔ　Ｃａｒｄ。近年來,隨著寫入速度高容量及單位位元價格下降等因素考量,對聲音和影像等資料例如ＭＰ３的儲存也成為快閃記憶體技術發展的另一主流。　　就Flash記憶體的結構,主要分成NORNAND及EE-NOR三大主流架構,其技術特色有些不同。　　NOR形態:這是由英特爾所發展的架構,讀取速度較快,而且可在單位區塊上進行指令的讀取寫入,其特性為高壓電,較長的抹除時間以及較大量的抹除區塊。此類型產品大都應用在程式指令的儲存與讀取/寫入以及ＰＣ　Ｃａｒｄ記憶卡。　　NAND:由東芝所發展的架構,讀寫資料速度較慢,但是具有較小記憶面積,在相同密度之下,成本較ＮＯＲ型態低。適用於更高容量的產品開發及大量儲存裝置上,可用以替代磁碟機在可攜帶市場的地位,或做為消費性電子產品資料儲存用。　　EENRO型態：針對ＮＯＲ型態加以改良,使其在相同記憶格面積下,能夠在更小的單位區塊上進行讀取寫入動作。不但可提升整體運作速度,更可滿足低電壓與低功率的運作要求。由於具有ＮＯＲ型態的高速效能,而適用於個人電腦程式指令儲存,能縮短指令讀取寫入時間;此外它還有低電壓和低功率的特性,所以被應用於可攜帶及無線電通訊產品上。